BD245C-S
数据手册.pdf
Bourns J.W. Miller
伯恩斯
分立器件
BD245C-S中文资料参数规格
技术参数
频率 3 MHz
额定功率 80 W
极性 NPN
耗散功率 80 W
击穿电压集电极-发射极 100 V
集电极最大允许电流 10A
最小电流放大倍数hFE 4 @10A, 4V
额定功率Max 3 W
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min 65 ℃
耗散功率Max 80000 mW
封装参数
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-218-3
外形尺寸
长度 15.2 mm
宽度 4.9 mm
高度 12.2 mm
封装 TO-218-3
物理参数
材质 Silicon
工作温度 -65℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
BD245C-S引脚图与封装图
暂无图片
替代型号BD245C-S
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： BD245C-S 品牌： Bourns J.W. Miller 伯恩斯 封装： SOT-93-3 NPN | 当前型号 | SOT-93 NPN 100V 10A | 当前型号 |
| 型号： BD245C 品牌： 伯恩斯 封装： | 类似代替 | NPN硅功率晶体管 NPN SILICON POWER TRANSISTORS | BD245C-S和BD245C的区别 |
| 型号： BDT61C-S 品牌： 伯恩斯 封装： TO-220 NPN | 功能相似 | 达林顿晶体管 120V 4A NPN | BD245C-S和BDT61C-S的区别 |
| 型号： BD707 品牌： 意法半导体 封装： TO-220 NPN | 功能相似 | NPN功率晶体管 NPN POWER TRANSISTORS | BD245C-S和BD707的区别 |