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CSD13381F4、CSD17484F4、CSD13381F4T对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 CSD13381F4 CSD17484F4 CSD13381F4T

描述 12V N 通道 NexFET™ 功率 MOSFET,CSD13381F4CSD17484F4 30V N 通道 FemtoFET™ MOSFETTEXAS INSTRUMENTS  CSD13381F4T  晶体管, MOSFET, N沟道, 2.1 A, 12 V, 0.14 ohm, 4.5 V, 850 mV

数据手册 ---

制造商 TI (德州仪器) TI (德州仪器) TI (德州仪器)

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 3 3

封装 PICOSTAR-3 PICOSTAR-3 PICOSTAR-3

通道数 1 - 1

漏源极电阻 180 mΩ - 0.14 Ω

极性 N-CH - N-Channel

耗散功率 500 mW 0.5 W 500 mW

阈值电压 850 mV - 850 mV

漏源极电压(Vds) 12 V 30 V 12 V

漏源击穿电压 12 V - -

连续漏极电流(Ids) 2.1A - 2.1A

上升时间 1.5 ns 1 ns 1.5 ns

输入电容(Ciss) 200pF @6V(Vds) 150pF @15V(Vds) 155pF @6V(Vds)

额定功率(Max) 500 mW - -

下降时间 3.8 ns 4 ns 3.8 ns

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 500mW (Ta) 500 mW 500 mW

针脚数 - - 3

长度 1 mm - 1.04 mm

宽度 0.64 mm - 0.64 mm

高度 0.35 mm - 0.35 mm

封装 PICOSTAR-3 PICOSTAR-3 PICOSTAR-3

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 正在供货 正在供货 Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - - No SVHC

REACH SVHC版本 - - 2015/06/15

香港进出口证 NLR - -