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CSD13381F4T

CSD13381F4T

TI(德州仪器) 分立器件

TEXAS INSTRUMENTS  CSD13381F4T  晶体管, MOSFET, N沟道, 2.1 A, 12 V, 0.14 ohm, 4.5 V, 850 mV

N 通道 FemtoFET™ 功率 MOSFET,Texas Instruments


欧时:
Texas Instruments FemtoFET 系列 Si N沟道 MOSFET CSD13381F4T, 2.1 A, Vds=12 V, 3引脚 PICOSTAR封装


得捷:
MOSFET N-CH 12V 2.1A 3PICOSTAR


立创商城:
CSD13381F4T


德州仪器TI:
12-V, N channel NexFET™ power MOSFET, single LGA 1 mm x 0.6mm, 180 mOhm, gate ESD protection


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 12V 2.1A 3-Pin PicoStar T/R


安富利:
Trans MOSFET N-CH 12V 2.1A 3-Pin PICOSTAR T/R


Verical:
Trans MOSFET N-CH 12V 2.1A 3-Pin PICOSTAR T/R


Newark:
# TEXAS INSTRUMENTS  CSD13381F4T  MOSFET Transistor, N Channel, 2.1 A, 12 V, 0.14 ohm, 4.5 V, 850 mV


CSD13381F4T中文资料参数规格
技术参数

通道数 1

针脚数 3

漏源极电阻 0.14 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 500 mW

阈值电压 850 mV

漏源极电压Vds 12 V

连续漏极电流Ids 2.1A

上升时间 1.5 ns

输入电容Ciss 155pF @6VVds

下降时间 3.8 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 500 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 PICOSTAR-3

外形尺寸

长度 1.04 mm

宽度 0.64 mm

高度 0.35 mm

封装 PICOSTAR-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/06/15

CSD13381F4T引脚图与封装图
CSD13381F4T引脚图

CSD13381F4T引脚图

CSD13381F4T封装图

CSD13381F4T封装图

CSD13381F4T封装焊盘图

CSD13381F4T封装焊盘图

在线购买CSD13381F4T
型号 制造商 描述 购买
CSD13381F4T TI 德州仪器 TEXAS INSTRUMENTS  CSD13381F4T  晶体管, MOSFET, N沟道, 2.1 A, 12 V, 0.14 ohm, 4.5 V, 850 mV 搜索库存
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图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: CSD13381F4T

品牌: TI 德州仪器

封装: LGA N-Channel 12V 2.1A

当前型号

TEXAS INSTRUMENTS  CSD13381F4T  晶体管, MOSFET, N沟道, 2.1 A, 12 V, 0.14 ohm, 4.5 V, 850 mV

当前型号

型号: CSD13381F4

品牌: 德州仪器

封装: 3-XFDFN N-CH 12V 2.1A

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