IPD075N03LG、STD6N95K5对比区别
描述 OptiMOS3功率三极管 OptiMOS3 Power-TransistorSTMICROELECTRONICS STD6N95K5 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 9 A, 950 V, 1 ohm, 10 V, 4 V
数据手册 --
制造商 Infineon (英飞凌) ST Microelectronics (意法半导体)
分类 MOS管
安装方式 - Surface Mount
引脚数 - 3
封装 TO-252 TO-252-3
针脚数 - 3
漏源极电阻 - 1 Ω
极性 - N-Channel
耗散功率 - 90 W
阈值电压 - 4 V
输入电容 - 450 pF
漏源极电压(Vds) 30 V 950 V
连续漏极电流(Ids) - 9A
上升时间 - 12 ns
输入电容(Ciss) 1900pF @15V(Vds) 450pF @100V(Vds)
额定功率(Max) 47 W 90 W
下降时间 - 21 ns
工作温度(Max) - 150 ℃
工作温度(Min) - -55 ℃
耗散功率(Max) - 90W (Tc)
封装 TO-252 TO-252-3
工作温度 - -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Active Active
包装方式 - Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 - No SVHC
REACH SVHC版本 - 2015/12/17
ECCN代码 - EAR99