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IPD075N03LG

IPD075N03LG

数据手册.pdf
Infineon 英飞凌 电子元器件分类
IPD075N03LG中文资料参数规格
技术参数

漏源极电压Vds 30 V

输入电容Ciss 1900pF @15VVds

额定功率Max 47 W

封装参数

封装 TO-252

外形尺寸

封装 TO-252

其他

产品生命周期 Active

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

IPD075N03LG引脚图与封装图
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型号 制造商 描述 购买
IPD075N03LG Infineon 英飞凌 OptiMOS3功率三极管 OptiMOS3 Power-Transistor 搜索库存
替代型号IPD075N03LG
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: IPD075N03LG

品牌: Infineon 英飞凌

封装:

当前型号

OptiMOS3功率三极管 OptiMOS3 Power-Transistor

当前型号

型号: STD18N55M5

品牌: 意法半导体

封装: DPAK N-Channel 550V 16A

功能相似

STMICROELECTRONICS  STD18N55M5  晶体管, MOSFET, N沟道, 13 A, 550 V, 0.18 ohm, 10 V, 4 V

IPD075N03LG和STD18N55M5的区别

型号: STD15NF10T4

品牌: 意法半导体

封装: TO-252 N-Channel 100V 23A 65mohms

功能相似

STMICROELECTRONICS  STD15NF10T4  晶体管, MOSFET, N沟道, 23 A, 100 V, 65 mohm, 10 V, 3 V

IPD075N03LG和STD15NF10T4的区别

型号: STD6N95K5

品牌: 意法半导体

封装: TO-252 N-Channel 950V 9A

功能相似

STMICROELECTRONICS  STD6N95K5  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 9 A, 950 V, 1 ohm, 10 V, 4 V

IPD075N03LG和STD6N95K5的区别