
漏源极电压Vds 30 V
输入电容Ciss 1900pF @15VVds
额定功率Max 47 W
封装 TO-252
封装 TO-252
产品生命周期 Active
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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IPD075N03LG | Infineon 英飞凌 | OptiMOS3功率三极管 OptiMOS3 Power-Transistor | 搜索库存 |
图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
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型号: IPD075N03LG 品牌: Infineon 英飞凌 封装: | 当前型号 | OptiMOS3功率三极管 OptiMOS3 Power-Transistor | 当前型号 | |
型号: STD18N55M5 品牌: 意法半导体 封装: DPAK N-Channel 550V 16A | 功能相似 | STMICROELECTRONICS STD18N55M5 晶体管, MOSFET, N沟道, 13 A, 550 V, 0.18 ohm, 10 V, 4 V | IPD075N03LG和STD18N55M5的区别 | |
型号: STD15NF10T4 品牌: 意法半导体 封装: TO-252 N-Channel 100V 23A 65mohms | 功能相似 | STMICROELECTRONICS STD15NF10T4 晶体管, MOSFET, N沟道, 23 A, 100 V, 65 mohm, 10 V, 3 V | IPD075N03LG和STD15NF10T4的区别 | |
型号: STD6N95K5 品牌: 意法半导体 封装: TO-252 N-Channel 950V 9A | 功能相似 | STMICROELECTRONICS STD6N95K5 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 9 A, 950 V, 1 ohm, 10 V, 4 V | IPD075N03LG和STD6N95K5的区别 |