锐单电子商城 , 一站式电子元器件采购平台!
  • 电话:400-990-0325

MUN2132T1、PDTA143ET,215、BCR162E6327HTSA1对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 MUN2132T1 PDTA143ET,215 BCR162E6327HTSA1

描述 MUN2132T1 带阻尼PNP三极管 -50V -100mA/-0.1A 27 0.338W/338mW SOT-23/SC-59 标记6J 开关电路,逆变器,接口电路,驱动电路NXP  PDTA143ET,215  单晶体管 双极, BRT, PNP, -50 V, 180 MHz, 250 mW, -100 mA, 30 hFEInfineon BCR162E6327HTSA1 PNP 数字晶体管, 100 mA, Vce=50 V, 4.7 kΩ, 电阻比:1, 3引脚 SOT-23封装

数据手册 ---

制造商 ON Semiconductor (安森美) NXP (恩智浦) Infineon (英飞凌)

分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 3 3

封装 SOT-23-3 SOT-23-3 SOT-23-3

额定电压(DC) -50.0 V - -50.0 V

额定电流 -100 mA - -100 mA

极性 PNP PNP, P-Channel PNP

耗散功率 230 mW 250 mW 0.2 W

击穿电压(集电极-发射极) 50 V 50 V 50 V

集电极最大允许电流 100mA 100mA 100mA

最小电流放大倍数(hFE) 15 @5mA, 10V 30 @10mA, 5V 20 @5mA, 5V

额定功率(Max) 230 mW 250 mW 200 mW

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -65 ℃ -65 ℃

增益带宽 - 180 MHz 200 MHz

耗散功率(Max) 338 mW 250 mW 200 mW

最大电流放大倍数(hFE) 15 - -

针脚数 - 3 -

直流电流增益(hFE) - 30 -

长度 2.9 mm - 2.9 mm

宽度 1.5 mm - 1.3 mm

高度 1.09 mm 1 mm 0.9 mm

封装 SOT-23-3 SOT-23-3 SOT-23-3

产品生命周期 Unknown Active Obsolete

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Contains Lead Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - No SVHC -

REACH SVHC版本 - 2015/12/17 -

ECCN代码 - - EAR99

工作温度 - -65℃ ~ 150℃ -