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MUN2132T1

MUN2132T1 带阻尼PNP三极管 -50V -100mA/-0.1A 27 0.338W/338mW SOT-23/SC-59 标记6J 开关电路,逆变器,接口电路,驱动电路

集电极-基极反向击穿电压VBRCBO Collector-Base VoltageVCBO| -50V \---|--- 集电极-发射极反向击穿电压VBRCEO Collector-Emitter VoltageVCEO| -50V 集电极连续输出电流IC Collector CurrentIC| -100mA/-0.1A 基极输入电阻R1 Input ResistanceR1| 4.7KΩ/Ohm 基极-发射极输入电阻R2 Base-Emitter ResistanceR2| 4.7KΩ/Ohm 电阻比R1/R2 Resistance Ratio| 1 直流电流增益hFE DC Current GainhFE| 27 截止频率fT Transtion FrequencyfT| 耗散功率Pc Power Dissipation| 0.338W/338mW Description & Applications| FEATURES •bias resistor transistors •PNP Silicon Surface Mount Transistors with Monolithic Bias Resistor Network •Simplifies Circuit Design •Reduces Board Space •Reduces Component Count •Moisture Sensitivity Level: 1 •ESD Rating − Human Body Model: Class 1− Machine Model: Class B •The SC−59 Package Can be Soldered Using Wave or Reflow •The Modified Gull−Winged Leads Absorb Thermal Stress During Soldering Eliminating the Possibility of Damage to the Die •Pb−Free Packages are Available 描述与应用| 特点 •偏置电阻 •PNP硅表面贴装晶体管与单片偏置电阻网络 •简化电路设计 •缩小板级空间 •减少元件数量 •湿度敏感度等级:1 •ESD额定值 - 人体模型:第1类- 机器型号:B类 •SC-59包装可以焊接使用波或回流 •改进的鸥翼信息过程中吸收热应力消除焊接模具损坏的可能性 •无铅包可用

MUN2132T1中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC -50.0 V

额定电流 -100 mA

极性 PNP

耗散功率 230 mW

击穿电压集电极-发射极 50 V

集电极最大允许电流 100mA

最小电流放大倍数hFE 15 @5mA, 10V

最大电流放大倍数hFE 15

额定功率Max 230 mW

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 338 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 SOT-23-3

外形尺寸

长度 2.9 mm

宽度 1.5 mm

高度 1.09 mm

封装 SOT-23-3

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 Non-Compliant

含铅标准 Contains Lead

MUN2132T1引脚图与封装图
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型号 制造商 描述 购买
MUN2132T1 ON Semiconductor 安森美 MUN2132T1 带阻尼PNP三极管 -50V -100mA/-0.1A 27 0.338W/338mW SOT-23/SC-59 标记6J 开关电路,逆变器,接口电路,驱动电路 搜索库存
替代型号MUN2132T1
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: MUN2132T1

品牌: ON Semiconductor 安森美

封装: SC-59 PNP -50V -100mA 338mW

当前型号

MUN2132T1 带阻尼PNP三极管 -50V -100mA/-0.1A 27 0.338W/338mW SOT-23/SC-59 标记6J 开关电路,逆变器,接口电路,驱动电路

当前型号

型号: MUN2132T1G

品牌: 安森美

封装: SC-59 PNP -50V -100mA 338mW

类似代替

偏置电阻晶体管 Bias Resistor Transistor

MUN2132T1和MUN2132T1G的区别

型号: PDTA143ET,215

品牌: 恩智浦

封装: TO-236AB PNP 250mW

功能相似

NXP  PDTA143ET,215  单晶体管 双极, BRT, PNP, -50 V, 180 MHz, 250 mW, -100 mA, 30 hFE

MUN2132T1和PDTA143ET,215的区别

型号: BCR162E6327HTSA1

品牌: 英飞凌

封装: SOT-23 PNP -50V -100mA 200mW

功能相似

Infineon BCR162E6327HTSA1 PNP 数字晶体管, 100 mA, Vce=50 V, 4.7 kΩ, 电阻比:1, 3引脚 SOT-23封装

MUN2132T1和BCR162E6327HTSA1的区别