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数据手册.pdfPowerTrench® N 通道 MOSFET，超过 60A，Fairchild Semiconductor### MOSFET 晶体管，Fairchild SemiconductorFairchild 提供大量 MOSFET 设备组合，包括高电压 >250V 低电压 Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性，以减少结电容和反向恢复电荷，无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。
最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage| 30V \---|--- 最大栅源极电压Vgs± Gate-Source Voltage| 20V 最大漏极电流Id Drain Current| 6.6A 源漏极导通电阻ΩRds DΩ/Ohmain-SouΩ/Ohmce On-State Ω/Ohmesistance| 0.010Ω/Ohm @1.3A, 开启电压Vgs（th） Gate-Source Threshold Voltage| 1-3V 耗散功率Pd Power Dissipation| 7W Description & Applications| • 66 A, 30 V. R DSon= 0.008 Ω @ V GS= 10 V RDSon= 0.010 Ω @ V GS = 4.5 V. • Low gate charge 35nC typical. • Fast switching speed. • High performance trench technology for extremely low RDSon 描述与应用| •66 A，30 V. R DS（ON）= 0.008Ω@ V GS = 10 V RDS（ON）= 0.010Ω@ V GS= 4.5 V。 •低栅极电荷（35NC典型）。 •快速开关速度。 •高性能沟道技术极 低RDS（on）