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BC857BWT1、BC857BW,135、BC857BWT1G对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 BC857BWT1 BC857BW,135 BC857BWT1G

描述 通用晶体管( PNP硅) General Purpose Transistors(PNP Silicon)SC-70 PNP 45V 0.1AON SEMICONDUCTOR  BC857BWT1G  单晶体管 双极, PNP, -45 V, 100 MHz, 150 mW, -100 mA, 150 hFE

数据手册 ---

制造商 ON Semiconductor (安森美) NXP (恩智浦) ON Semiconductor (安森美)

分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 - 3 3

封装 SC-70-3 SOT-323-3 SC-70-3

频率 - 100 MHz 100 MHz

极性 PNP PNP PNP

耗散功率 150 mW 0.2 W 150 mW

击穿电压(集电极-发射极) 45 V 45 V 45 V

集电极最大允许电流 0.1A 0.1A 0.1A

最小电流放大倍数(hFE) 220 @2mA, 5V 220 @2mA, 5V 220 @2mA, 5V

最大电流放大倍数(hFE) - 220 @2mA, 5V -

额定功率(Max) 150 mW 200 mW 150 mW

耗散功率(Max) - 200 mW 150 mW

额定电压(DC) -45.0 V - -45.0 V

额定电流 -100 mA - -100 mA

针脚数 - - 3

直流电流增益(hFE) - - 150

工作温度(Max) 150 ℃ - 150 ℃

工作温度(Min) 55 ℃ - -55 ℃

增益频宽积 100 MHz - -

封装 SC-70-3 SOT-323-3 SC-70-3

长度 2.1 mm - 2.2 mm

宽度 1.24 mm - 1.35 mm

高度 0.85 mm - 0.9 mm

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

材质 - - Silicon

产品生命周期 Unknown Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Contains Lead Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - - No SVHC

REACH SVHC版本 - - 2015/12/17

ECCN代码 - - EAR99