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BC857BW,135

BC857BW,135

数据手册.pdf
NXP 恩智浦 分立器件
BC857BW,135中文资料参数规格
技术参数

频率 100 MHz

极性 PNP

耗散功率 0.2 W

击穿电压集电极-发射极 45 V

集电极最大允许电流 0.1A

最小电流放大倍数hFE 220 @2mA, 5V

最大电流放大倍数hFE 220 @2mA, 5V

额定功率Max 200 mW

耗散功率Max 200 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 SOT-323-3

外形尺寸

封装 SOT-323-3

物理参数

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

BC857BW,135引脚图与封装图
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在线购买BC857BW,135
型号 制造商 描述 购买
BC857BW,135 NXP 恩智浦 SC-70 PNP 45V 0.1A 搜索库存
替代型号BC857BW,135
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: BC857BW,135

品牌: NXP 恩智浦

封装: SC-70 PNP 200mW

当前型号

SC-70 PNP 45V 0.1A

当前型号

型号: BC860BW,115

品牌: 恩智浦

封装: SOT323 PNP 200mW

完全替代

BC860B 系列 45 V 100 mA 表面贴装 PNP 通用 晶体管 - SOT23

BC857BW,135和BC860BW,115的区别

型号: BC857BW

品牌: 恩智浦

封装: SOT-323/SC-70 PNP

完全替代

BC857BW

BC857BW,135和BC857BW的区别

型号: BC860BW,135

品牌: 恩智浦

封装: SOT323 PNP

完全替代

SC-70 PNP 45V 0.1A

BC857BW,135和BC860BW,135的区别