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AO3414、IRLML2502TRPBF、FDN327N对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 AO3414 IRLML2502TRPBF FDN327N

描述 20V,3A,N沟道MOSFETN沟道,20V,4.2A,45mΩ@4.5VFAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FDN327N  晶体管, MOSFET, N沟道, 2 A, 20 V, 70 mohm, 4.5 V, 700 mV

数据手册 ---

制造商 Alpha & Omega Semiconductor (万代半导体) International Rectifier (国际整流器) Fairchild (飞兆/仙童)

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 3 3

封装 SOT-23-3 SOT-23-3 SOT-23-3

极性 N-CH N-Channel N-Channel

耗散功率 1.4 W 1.25 W 500 mW

漏源极电压(Vds) 20 V 20 V 20 V

连续漏极电流(Ids) 3A 4.20 A 2.00 A

上升时间 3.2 ns 10.0 ns 6.5 ns

输入电容(Ciss) 436pF @10V(Vds) 740pF @15V(Vds) 423pF @10V(Vds)

额定功率(Max) 1.4 W 1.25 W 460 mW

下降时间 3 ns - 2 ns

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 1.4W (Ta) 1.25W (Ta) 500mW (Ta)

额定电压(DC) - 20.0 V 20.0 V

额定电流 - 4.20 A 2.00 A

针脚数 - - 3

漏源极电阻 - 0.08 Ω 0.04 Ω

阈值电压 - - 700 mV

输入电容 - 740pF @15V 423 pF

栅电荷 - - 4.50 nC

漏源击穿电压 - 20 V 20.0 V

栅源击穿电压 - - ±8.00 V

产品系列 - IRLML2502 -

封装 SOT-23-3 SOT-23-3 SOT-23-3

长度 - 2.8 mm 2.92 mm

宽度 - - 1.4 mm

高度 - 1.02 mm 0.94 mm

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - - No SVHC

REACH SVHC版本 - - 2015/06/15

香港进出口证 NLR - -

ECCN代码 - - EAR99