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HUF75542P3、PSMN4R4-80PS,127、PSMN012-80PS,127对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 HUF75542P3 PSMN4R4-80PS,127 PSMN012-80PS,127

描述 FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  HUF75542P3..  晶体管, MOSFET, N沟道, 75 A, 80 V, 14 mohm, 10 V, 4 VNXP Si N沟道 MOSFET PSMN4R4-80PS,127, 100 A, Vds=80 V, 3引脚 TO-220AB封装TO-220AB N-CH 80V 74A

数据手册 ---

制造商 Fairchild (飞兆/仙童) NXP (恩智浦) NXP (恩智浦)

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 3 3 3

封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3

漏源极电阻 0.014 Ω - 0.009 Ω

极性 N-Channel N-Channel N-Channel

耗散功率 230 W 306 W 148 W

阈值电压 4 V - 3 V

漏源极电压(Vds) 80 V 80 V 80 V

连续漏极电流(Ids) 75.0 A 100A 74A

上升时间 117 ns 38.1 ns 16 ns

输入电容(Ciss) 2750pF @25V(Vds) 8400pF @40V(Vds) 2782pF @12V(Vds)

额定功率(Max) 230 W 306 W 148 W

下降时间 80 ns 18.4 ns 6 ns

工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ 175 ℃

耗散功率(Max) 230W (Tc) 306W (Tc) 148W (Tc)

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -

额定电压(DC) 80.0 V - -

额定电流 75.0 A - -

针脚数 3 - -

漏源击穿电压 20.0 V - -

栅源击穿电压 ±20.0 V - -

封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3

长度 - 10.3 mm -

宽度 - 4.7 mm -

高度 - 16 mm -

工作温度 -55℃ ~ 175℃ -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Rail, Tube Rail, Tube Rail, Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC版本 2015/06/15 - 2015/12/17

REACH SVHC标准 No SVHC - -

ECCN代码 EAR99 - -