PSMN4R4-80PS,127
数据手册.pdf
NXP
恩智浦
分立器件
PSMN4R4-80PS,127中文资料参数规格
技术参数
极性 N-Channel
耗散功率 306 W
漏源极电压Vds 80 V
连续漏极电流Ids 100A
上升时间 38.1 ns
输入电容Ciss 8400pF @40VVds
额定功率Max 306 W
下降时间 18.4 ns
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 306W Tc
封装参数
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-220-3
外形尺寸
长度 10.3 mm
宽度 4.7 mm
高度 16 mm
封装 TO-220-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Rail, Tube
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
PSMN4R4-80PS,127引脚图与封装图
暂无图片
在线购买PSMN4R4-80PS,127
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| PSMN4R4-80PS,127 | NXP 恩智浦 | NXP Si N沟道 MOSFET PSMN4R4-80PS,127, 100 A, Vds=80 V, 3引脚 TO-220AB封装 | 搜索库存 |
替代型号PSMN4R4-80PS,127
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： PSMN4R4-80PS,127 品牌： NXP 恩智浦 封装： TO-220-3 N-Channel 80V 100A | 当前型号 | NXP Si N沟道 MOSFET PSMN4R4-80PS,127, 100 A, Vds=80 V, 3引脚 TO-220AB封装 | 当前型号 |
| 型号： HUF75545P3 品牌： 飞兆/仙童 封装： TO-220 N-Channel 80V 75A 82mohms | 功能相似 | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR HUF75545P3 晶体管, MOSFET, N沟道, 75 A, 80 V, 10 mohm, 10 V, 4 V | PSMN4R4-80PS,127和HUF75545P3的区别 |
| 型号： HUF75542P3 品牌： 飞兆/仙童 封装： TO-220 N-Channel 80V 75A 14mohms | 功能相似 | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR HUF75542P3.. 晶体管, MOSFET, N沟道, 75 A, 80 V, 14 mohm, 10 V, 4 V | PSMN4R4-80PS,127和HUF75542P3的区别 |