
漏源极电阻 0.009 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 148 W
阈值电压 3 V
漏源极电压Vds 80 V
连续漏极电流Ids 74A
上升时间 16 ns
输入电容Ciss 2782pF @12VVds
额定功率Max 148 W
下降时间 6 ns
工作温度Max 175 ℃
耗散功率Max 148W Tc
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-220-3
封装 TO-220-3
工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Rail, Tube
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC版本 2015/12/17
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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PSMN012-80PS,127 | NXP 恩智浦 | TO-220AB N-CH 80V 74A | 搜索库存 |
图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
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型号: PSMN012-80PS,127 品牌: NXP 恩智浦 封装: TO-220-3 N-Channel 80V 74A | 当前型号 | TO-220AB N-CH 80V 74A | 当前型号 | |
型号: STP75NF75 品牌: 意法半导体 封装: TO-220 N-Channel 75V 80A 9.5mΩ | 功能相似 | N 通道 STripFET™ II,STMicroelectronicsSTripFET™ MOSFET,带宽击穿电压范围,可提供超低栅极电话和低接通电阻。 ### MOSFET 晶体管,STMicroelectronics | PSMN012-80PS,127和STP75NF75的区别 | |
型号: FDP75N08A 品牌: 飞兆/仙童 封装: TO-220 N-Channel 75V 75A 11mohms 4.47nF | 功能相似 | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDP75N08A 晶体管, MOSFET, N沟道, 75 A, 75 V, 11 mohm, 10 V, 4 V | PSMN012-80PS,127和FDP75N08A的区别 | |
型号: HUF75545P3 品牌: 飞兆/仙童 封装: TO-220 N-Channel 80V 75A 82mohms | 功能相似 | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR HUF75545P3 晶体管, MOSFET, N沟道, 75 A, 80 V, 10 mohm, 10 V, 4 V | PSMN012-80PS,127和HUF75545P3的区别 |