TIP32C-BP、TIP32CG、TIP127G对比区别
描述 TO-220 PNP 100V 3AON SEMICONDUCTOR TIP32CG 单晶体管 双极, 通用, PNP, 100 V, 3 MHz, 40 W, 3 A, 10 hFEPNP 复合晶体管，On Semiconductor这些 ON Semiconductor 复合晶体管是包含两个双极性晶体管（集成或分离设备）的复合结构。 这些设备连接，因此第二个晶体管进一步放大由第一个晶体管放大的电流。 ### 标准Manufacturer Part Nos with S or NSV prefix are automotive qualified to AEC-Q101 standard. ### 双极性晶体管，On SemiconductorON Semiconductor 的各种双极晶体管，包括以下类别：小信号晶体管 通用晶体管 双 NPN 和 PNP 晶体管 功率晶体管 高电压晶体管 射频双极晶体管 低噪声，双匹配和复杂的双极晶体管
数据手册 ---
制造商 Micro Commercial Components (美微科) ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美)
分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管
安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole
引脚数 3 3 3
封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
额定电压(DC) -100 V -100 V -100 V
额定电流 -3.00 A -3.00 A -5.00 A
输出电压 - - 100 V
输出电流 - - 5 A
极性 PNP PNP, P-Channel PNP, P-Channel
耗散功率 2 W 40 W 65 W
击穿电压(集电极-发射极) 100 V 100 V 100 V
热阻 - 3.125℃/W (RθJC) 62.5℃/W (RθJA)
集电极最大允许电流 3A 3A 5A
最小电流放大倍数(hFE) 10 @3A, 4V 10 @3A, 4V 1000 @3A, 3V
额定功率(Max) 2 W 2 W 2 W
直流电流增益(hFE) - 10 1000
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -65 ℃ -65 ℃ -65 ℃
耗散功率(Max) 2000 mW 2000 mW 2000 mW
输入电压 - - 2.5 V
频率 3 MHz 3 MHz -
针脚数 - 3 -
增益频宽积 - 3 MHz -
长度 - 10.28 mm 10.28 mm
宽度 - 4.83 mm 4.82 mm
高度 - 9.28 mm 9.28 mm
封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
工作温度 150℃ (TJ) -65℃ ~ 150℃ -65℃ ~ 150℃ (TJ)
材质 Silicon Silicon -
产品生命周期 Active Active Active
包装方式 Tube Tube Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC版本 - 2015/12/17 2015/12/17
REACH SVHC标准 - No SVHC -
ECCN代码 - EAR99 EAR99
HTS代码 - 8541290095 -