DS1250W-100IND、DS1250W-100+、DS1250W-100IND+对比区别

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型号 DS1250W-100IND DS1250W-100+ DS1250W-100IND+

描述 IC NVSRAM 4Mbit 100NS 32EDIPIC NVSRAM 4Mbit 100NS 32DIPIC NVSRAM 4Mbit 100NS 32EDIP

数据手册 ---

制造商 Maxim Integrated (美信) Maxim Integrated (美信) Maxim Integrated (美信)

分类 存储芯片存储芯片存储芯片

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

封装 DIP-32 EDIP-32 EDIP-32

引脚数 32 - -

存取时间 100 ns 100 ns 100 ns

电源电压 3V ~ 3.6V 3V ~ 3.6V 3V ~ 3.6V

电源电压(Max) 3.6 V 3.6 V 3.6 V

电源电压(Min) 3 V 3 V 3 V

电源电压(DC) 3.30 V, 3.60 V (max) - -

时钟频率 100 GHz - -

内存容量 4000000 B - -

工作温度(Max) 85 ℃ - -

工作温度(Min) -40 ℃ - -

封装 DIP-32 EDIP-32 EDIP-32

长度 43.69 mm - -

宽度 18.8 mm - -

高度 9.4 mm - -

工作温度 -40℃ ~ 85℃ (TA) 0℃ ~ 70℃ (TA) -40℃ ~ 85℃ (TA)

产品生命周期 Unknown Unknown Unknown

包装方式 Tube Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 无铅 无铅