DS1250W-100+
数据手册.pdfMaxim Integrated(美信)
电子元器件分类
DS1250W-100+中文资料参数规格
技术参数
存取时间 100 ns
电源电压 3V ~ 3.6V
电源电压Max 3.6 V
电源电压Min 3 V
封装参数
安装方式 Through Hole
封装 EDIP-32
外形尺寸
封装 EDIP-32
物理参数
工作温度 0℃ ~ 70℃ TA
其他
产品生命周期 Unknown
包装方式 Tube
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 无铅
DS1250W-100+引脚图与封装图 
DS1250W-100+引脚图
DS1250W-100+封装图
DS1250W-100+封装焊盘图
在线购买DS1250W-100+
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| DS1250W-100+ | Maxim Integrated 美信 | IC NVSRAM 4Mbit 100NS 32DIP | 搜索库存 |
替代型号DS1250W-100+
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： DS1250W-100+ 品牌： Maxim Integrated 美信 封装： EDIP-32 | 当前型号 | IC NVSRAM 4Mbit 100NS 32DIP | 当前型号 |
| 型号： DS1250W-100IND+ 品牌： 美信 封装： MOD | 完全替代 | IC NVSRAM 4Mbit 100NS 32EDIP | DS1250W-100+和DS1250W-100IND+的区别 |
| 型号： DS1250W-100 品牌： 美信 封装： DIP 4000000B 3.3V 100ns 32Pin | 完全替代 | IC NVSRAM 4Mbit 100NS 32EDIP | DS1250W-100+和DS1250W-100的区别 |
| 型号： DS1250W-100IND 品牌： 美信 封装： DIP 4000000B 3.3V 100ns 32Pin | 类似代替 | IC NVSRAM 4Mbit 100NS 32EDIP | DS1250W-100+和DS1250W-100IND的区别 |