电源电压DC 3.30 V, 3.60 V max
时钟频率 100 GHz
存取时间 100 ns
内存容量 4000000 B
工作温度Max 85 ℃
工作温度Min -40 ℃
电源电压 3V ~ 3.6V
电源电压Max 3.6 V
电源电压Min 3 V
安装方式 Through Hole
引脚数 32
封装 DIP-32
长度 43.69 mm
宽度 18.8 mm
高度 9.4 mm
封装 DIP-32
工作温度 -40℃ ~ 85℃ TA
产品生命周期 Unknown
包装方式 Tube
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准
DS1250W-100IND引脚图
DS1250W-100IND封装图
DS1250W-100IND封装焊盘图
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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DS1250W-100IND | Maxim Integrated 美信 | IC NVSRAM 4Mbit 100NS 32EDIP | 搜索库存 |
图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
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型号: DS1250W-100IND 品牌: Maxim Integrated 美信 封装: DIP 4000000B 3.3V 100ns 32Pin | 当前型号 | IC NVSRAM 4Mbit 100NS 32EDIP | 当前型号 | |
型号: DS1250W-100+ 品牌: 美信 封装: EDIP-32 | 类似代替 | IC NVSRAM 4Mbit 100NS 32DIP | DS1250W-100IND和DS1250W-100+的区别 | |
型号: DS1250W-100IND+ 品牌: 美信 封装: MOD | 类似代替 | IC NVSRAM 4Mbit 100NS 32EDIP | DS1250W-100IND和DS1250W-100IND+的区别 |