FDB8896、FDP6670AL、STP22NF03L对比区别
型号 FDB8896 FDP6670AL STP22NF03L
描述 N 通道 MOSFET，Fairchild SemiconductorFairchild Semiconductor 提供的解决方案可解决汽车市场的复杂难题，具有严谨的质量控制、安全和可靠性标准。### MOSFET 晶体管，Fairchild SemiconductorFairchild 提供大量 MOSFET 设备组合，包括高电压 (>250V) 低电压 (Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性，以减少结电容和反向恢复电荷，无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。N沟道逻辑电平MOSFET PowerTrenchTM N-Channel Logic Level PowerTrenchTM MOSFETSTMICROELECTRONICS STP22NF03L 晶体管, MOSFET, N沟道, 22 A, 30 V, 50 mohm, 10 V, 1 V
数据手册 ---
制造商 Fairchild (飞兆/仙童) Fairchild (飞兆/仙童) ST Microelectronics (意法半导体)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Through Hole Through Hole
引脚数 3 3 3
封装 TO-263-3 TO-220-3 TO-220-3
额定电压(DC) 30.0 V - 30.0 V
额定电流 93.0 A - 22.0 A
针脚数 3 - 3
漏源极电阻 4.9 mΩ 0.0065 Ω 50 mΩ
极性 N-Channel N-Channel N-Channel
耗散功率 80 W 75 W 45 W
阈值电压 2.5 V 1.9 V 1 V
漏源极电压(Vds) 30 V 30 V 30 V
漏源击穿电压 30.0 V 30.0 V 30.0 V
栅源击穿电压 ±20.0 V ±20.0 V ±15.0 V
连续漏极电流(Ids) 93.0 A 80.0 A 22.0 A
上升时间 102 ns - 4 ns
输入电容(Ciss) 2525pF @15V(Vds) 2440pF @15V(Vds) 330pF @25V(Vds)
额定功率(Max) 80 W 68 W 45 W
下降时间 44 ns - 5 ns
工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ 175 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ - -55 ℃
耗散功率(Max) 80W (Tc) 68W (Tc) 45W (Tc)
输入电容 2.62 nF - -
栅电荷 48.0 nC - -
长度 3 mm - 10.4 mm
宽度 1.7 mm - 4.6 mm
高度 4.83 mm - 9.15 mm
封装 TO-263-3 TO-220-3 TO-220-3
工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -65℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)
产品生命周期 Active Obsolete Not Recommended for New Designs
包装方式 Tape & Reel (TR) Rail, Tube Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC版本 2015/06/15 2015/06/15 2015/12/17
REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC -
ECCN代码 EAR99 EAR99 -