FDP6670AL
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Fairchild
飞兆/仙童
分立器件
FDP6670AL中文资料参数规格
技术参数
漏源极电阻 0.0065 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 75 W
阈值电压 1.9 V
漏源极电压Vds 30 V
漏源击穿电压 30.0 V
栅源击穿电压 ±20.0 V
连续漏极电流Ids 80.0 A
输入电容Ciss 2440pF @15VVds
额定功率Max 68 W
工作温度Max 175 ℃
耗散功率Max 68W Tc
封装参数
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-220-3
外形尺寸
封装 TO-220-3
物理参数
工作温度 -65℃ ~ 175℃ TJ
其他
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Rail, Tube
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/06/15
海关信息
ECCN代码 EAR99
FDP6670AL引脚图与封装图
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在线购买FDP6670AL
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| FDP6670AL | Fairchild 飞兆/仙童 | N沟道逻辑电平MOSFET PowerTrenchTM N-Channel Logic Level PowerTrenchTM MOSFET | 搜索库存 |
替代型号FDP6670AL
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
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