PSMN017-60YS、PH1955L,115、PH20100S,115对比区别

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型号 PSMN017-60YS PH1955L,115 PH20100S,115

描述 NXP  PSMN017-60YS  晶体管, MOSFET, N沟道, 44 A, 60 V, 12.3 mohm, 10 V, 3 VLFPAK N-CH 55V 40APH20100S - N沟道TrenchMOS标准电平FET

数据手册 ---

制造商 NXP (恩智浦) NXP (恩智浦) NXP (恩智浦)

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 4 5 4

封装 SOT-669 SOT-669 SOT-669

极性 N-Channel N-Channel N-Channel

耗散功率 74 W 75 W 62.5 W

漏源极电压(Vds) 60 V 55 V 100 V

连续漏极电流(Ids) 44A 40.0 A 34.3 A

输入电容(Ciss) 1172pF @30V(Vds) 1992pF @25V(Vds) 2264pF @25V(Vds)

额定功率(Max) - 75 W 62.5 W

耗散功率(Max) 74 W 75W (Tc) 62.5W (Tc)

针脚数 4 - -

漏源极电阻 0.0123 Ω - -

阈值电压 3 V - -

工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ -

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -

上升时间 - 180 ns -

下降时间 - 134 ns -

封装 SOT-669 SOT-669 SOT-669

长度 5 mm - -

宽度 4.1 mm - -

高度 1.1 mm - -

工作温度 - -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Unknown Obsolete Active

包装方式 - Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 Exempt RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC - -

REACH SVHC版本 2015/12/17 - -