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MMBD6100LT1G、PMBD6100,215、MMBD6100LT3G对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 MMBD6100LT1G PMBD6100,215 MMBD6100LT3G

描述 ON SEMICONDUCTOR  MMBD6100LT1G  二极管 小信号, 双共阴极, 70 V, 200 mA, 1.1 V, 4 ns, 500 mANXP  PMBD6100,215  二极管 小信号, 双共阴极, 85 V, 125 mA, 1.1 V, 4 ns, 4 A单片双开关二极管 Monolithic Dual Switching Diode

数据手册 ---

制造商 ON Semiconductor (安森美) NXP (恩智浦) ON Semiconductor (安森美)

分类 二极管阵列二极管阵列二极管阵列

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 3 3

封装 SOT-23-3 SOT-23-3 SOT-23-3

针脚数 3 3 -

正向电压 1.1 V 1.1V @100mA 1.1V @100mA

反向恢复时间 4 ns 4 ns 4 ns

正向电流 200 mA 125 mA -

最大正向浪涌电流(Ifsm) 500 mA 4 A -

正向电压(Max) 1.1 V 1.1 V -

正向电流(Max) 200 mA 215 mA 0.2 A

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -65 ℃ -55 ℃

工作结温 - 150℃ (Max) -

工作结温(Max) 150 ℃ 150 ℃ -

耗散功率(Max) 300 mW 250 mW 300 mW

额定电压(DC) 70.0 V - 70.0 V

额定电流 200 mA - 200 mA

电容 2.5 pF - -

额定功率 225 mW - -

无卤素状态 Halogen Free - -

负载电流 0.2 A - -

耗散功率 225 mW - -

高度 0.94 mm 1 mm -

封装 SOT-23-3 SOT-23-3 SOT-23-3

长度 3.04 mm - -

工作温度 -55℃ ~ 150℃ -65℃ ~ 150℃ -

产品生命周期 Active Active Unknown

包装方式 Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC -

REACH SVHC版本 2015/12/17 2015/12/17 -

ECCN代码 EAR99 - -