MMBD6100LT3G中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC 70.0 V
额定电流 200 mA
正向电压 1.1V @100mA
反向恢复时间 4 ns
正向电流Max 0.2 A
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 300 mW
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 SOT-23-3
外形尺寸
封装 SOT-23-3
其他
产品生命周期 Unknown
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
MMBD6100LT3G引脚图与封装图
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在线购买MMBD6100LT3G
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| MMBD6100LT3G | ON Semiconductor 安森美 | 单片双开关二极管 Monolithic Dual Switching Diode | 搜索库存 |
替代型号MMBD6100LT3G
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： MMBD6100LT3G 品牌： ON Semiconductor 安森美 封装： SOT-23 70V 200mA | 当前型号 | 单片双开关二极管 Monolithic Dual Switching Diode | 当前型号 |
| 型号： MMBD6100LT3 品牌： 安森美 封装： SOT-23 70V 200mA | 完全替代 | 单片双开关二极管 Monolithic Dual Switching Diode | MMBD6100LT3G和MMBD6100LT3的区别 |
| 型号： MMBD6100LT1G 品牌： 安森美 封装： SOT-23 70V 200mA 3Pin | 类似代替 | ON SEMICONDUCTOR MMBD6100LT1G 二极管 小信号, 双共阴极, 70 V, 200 mA, 1.1 V, 4 ns, 500 mA | MMBD6100LT3G和MMBD6100LT1G的区别 |
| 型号： MMBD6100LT1 品牌： 安森美 封装： SOT-23 70V 200mA | 类似代替 | 单片双开关二极管 Monolithic Dual Switching Diode | MMBD6100LT3G和MMBD6100LT1的区别 |