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FB30R06W1E3、FP30R06W1E3、FP30R06W1E3B11BOMA1对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 FB30R06W1E3 FP30R06W1E3 FP30R06W1E3B11BOMA1

描述 EasyPIM模块海沟/ Fieldstopp IGBT3和发射极控制二极管3和NTC EasyPIM module with Trench/Fieldstopp IGBT3 and Emitter Controlled 3 diode and NTCINFINEON  FP30R06W1E3  晶体管, IGBT阵列&模块, N沟道, 30 A, 1.55 V, 115 W, 600 V, ModuleInfineon FP30R06W1E3B11BOMA1 N通道 IGBT 模块, 3 相桥接, 37 A, Vce=600 V, 23引脚 EASY1B封装

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)

分类 IGBT晶体管IGBT晶体管IGBT晶体管

基础参数对比

引脚数 19 23 23

封装 AG-EASY1B-1 EASY1B-1 AG-EASY1B-2

安装方式 Screw Screw -

耗散功率 115 W 115 W 115000 mW

击穿电压(集电极-发射极) - - 600 V

输入电容(Cies) - - 1.65nF @25V

额定功率(Max) - - 115 W

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) 40 ℃ -40 ℃ -40 ℃

耗散功率(Max) - 115000 mW 115000 mW

额定功率 115 W - -

针脚数 - 23 -

极性 - N-Channel -

长度 62.8 mm 62.8 mm 48 mm

宽度 33.8 mm 33.8 mm 33.8 mm

高度 12 mm 12 mm 12 mm

封装 AG-EASY1B-1 EASY1B-1 AG-EASY1B-2

工作温度 -40℃ ~ 150℃ -40℃ ~ 150℃ -40℃ ~ 150℃

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 - Tray Tray

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - No SVHC -

REACH SVHC版本 - 2015/12/17 -

ECCN代码 - EAR99 -