锐单电子商城 ， 一站式电子元器件采购平台！

  • 电话：400-990-0325

购物车
FP30R06W1E3

FP30R06W1E3

数据手册.pdf
Infineon(英飞凌) 分立器件

INFINEON  FP30R06W1E3  晶体管, IGBT阵列&模块, N沟道, 30 A, 1.55 V, 115 W, 600 V, Module

The is an EasyPIM™ 1B PIM IGBT Module with Trench/field-stop IGBT3, emitter controlled 3 diode and NTC. It is suitable for auxiliary inverters and air conditioning.

.
Low switching losses
.
VCEsat with positive temperature coefficient
.
Al2O₃ substrate with low thermal resistance
.
Compact design
.
Solder contact technology
.
Rugged mounting due to integrated mounting clamps
.
Compact module concept
.
Configuration flexibility
FP30R06W1E3中文资料参数规格
技术参数

针脚数 23

极性 N-Channel

耗散功率 115 W

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -40 ℃

耗散功率Max 115000 mW

封装参数

安装方式 Screw

引脚数 23

封装 EASY1B-1

外形尺寸

长度 62.8 mm

宽度 33.8 mm

高度 12 mm

封装 EASY1B-1

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 150℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tray

制造应用 Drives, Air Conditioning System, HVAC, 电机驱动与控制, Power Management, 电源管理, Motor Drive & Control

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17

海关信息

ECCN代码 EAR99

FP30R06W1E3引脚图与封装图
FP30R06W1E3电路图

FP30R06W1E3电路图

在线购买FP30R06W1E3
型号 制造商 描述 购买
FP30R06W1E3 Infineon 英飞凌 INFINEON  FP30R06W1E3  晶体管, IGBT阵列&模块, N沟道, 30 A, 1.55 V, 115 W, 600 V, Module 搜索库存
替代型号FP30R06W1E3
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号： FP30R06W1E3

品牌： Infineon 英飞凌

封装： Module

当前型号

INFINEON  FP30R06W1E3  晶体管, IGBT阵列&模块, N沟道, 30 A, 1.55 V, 115 W, 600 V, Module

当前型号

型号： FP30R06W1E3BOMA1

品牌： 英飞凌

封装：

类似代替

晶体管, IGBT阵列&模块, N沟道, 37 A, 1.55 V, 115 W, 600 V, Module

FP30R06W1E3和FP30R06W1E3BOMA1的区别

型号： FB30R06W1E3BOMA1

品牌： 英飞凌

封装：

类似代替

EasyPIM™ 1B 600V PIM IGBT module with Trench/Fieldstop IGBT3, Emitter Controlled 3 diode and NTC.

FP30R06W1E3和FB30R06W1E3BOMA1的区别

型号： FP30R06YE3

品牌： 英飞凌

封装：

类似代替

IGBT 模块 N-CH 600V 37A

FP30R06W1E3和FP30R06YE3的区别