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BQ4015MA-70、BQ4015YMA-70、DS1250Y-70IND+对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 BQ4015MA-70 BQ4015YMA-70 DS1250Y-70IND+

描述 512Kx8非易失SRAM 512Kx8 Nonvolatile SRAM512Kx8非易失SRAM 512Kx8 Nonvolatile SRAMMAXIM INTEGRATED PRODUCTS  DS1250Y-70IND+  芯片, 存储器, NVRAM

数据手册 ---

制造商 TI (德州仪器) TI (德州仪器) Maxim Integrated (美信)

分类 存储芯片存储芯片RAM芯片

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 32 32 32

封装 DIP-32 DIP-32 EDIP-32

电源电压(DC) 5.00 V 5.00 V 5.00 V, 5.50 V (max)

时钟频率 70.0 GHz 70.0 GHz 70.0 GHz

存取时间 85 ns 70.0 ns 70 ns

内存容量 500000 B 500000 B 500000 B

存取时间(Max) 70 ns 70 ns -

工作温度(Max) 70 ℃ 70 ℃ 85 ℃

工作温度(Min) 0 ℃ 0 ℃ -40 ℃

电源电压 4.75V ~ 5.5V 4.5V ~ 5.5V 4.5V ~ 5.5V

电源电压(Max) 5.5 V - 5.5 V

电源电压(Min) 4.75 V - 4.5 V

供电电流 - 50 mA -

针脚数 - - 32

长度 42.8 mm - 44.2 mm

宽度 18.42 mm - 18.8 mm

高度 9.53 mm - 10.92 mm

封装 DIP-32 DIP-32 EDIP-32

工作温度 0℃ ~ 70℃ (TA) 0℃ ~ 70℃ (TA) -40℃ ~ 85℃ (TA)

产品生命周期 Obsolete Obsolete Unknown

包装方式 Tube Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

ECCN代码 - EAR99 -