TPS7201QD、TPS7201QDR、TPS7201QDRG4对比区别
型号 TPS7201QD TPS7201QDR TPS7201QDRG4
描述 PMOS稳压器TEXAS INSTRUMENTS TPS7201QDR 电压稳压器, LDO, 可调, 3V至10V输入, 190mV压差, 1.2V至9.75V/250mA输出, SOIC-8微功耗低压差( LDO)稳压器 MICROPOWER LOW-DROPOUT (LDO) VOLTAGE REGULATORS
数据手册 ---
制造商 TI (德州仪器) TI (德州仪器) TI (德州仪器)
分类 稳压芯片稳压芯片稳压芯片
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 8 8 8
封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8
额定功率 0.464 W - -
输出接口数 1 1 1
输入电压(DC) 10.0V (max) 10.0V (max) -
输出电压 1.2V ~ 9.75V 1.2V ~ 9.75V 1.2V ~ 9.75V
输出电流 250 mA 250 mA 250 mA
耗散功率 0.725 W 0.725 W 0.725 W
静态电流 0.18 mA 0.18 mA 180 µA
输出电容类型 Ceramic Ceramic Ceramic
跌落电压 0.19V @250mA 0.19V @250mA 0.19V @250mA
调节输出数 1 1 1
输入电压(Max) 10 V 10 V 10 V
输入电压(Min) 3 V 3 V 3 V
输出电压(Max) 9.75 V 9.75 V -
输出电压(Min) 1.2 V 1.2 V -
输出电流(Max) 0.25 A 0.25 A 0.25 A
工作温度(Max) 125 ℃ 125 ℃ 125 ℃
工作温度(Min) -40 ℃ -40 ℃ -40 ℃
耗散功率(Max) 725 mW 725 mW 725 mW
精度 ±3 % ±3 % ±3 %
输入电压 3V ~ 10V 3V ~ 10V 3V ~ 10V
供电电流 - 80 µA -
针脚数 - 8 -
长度 4.9 mm 4.9 mm -
宽度 3.91 mm 3.91 mm -
高度 1.58 mm 1.58 mm -
封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8
工作温度 -40℃ ~ 125℃ -40℃ ~ 125℃ -40℃ ~ 125℃
产品生命周期 Active Active Active
包装方式 Tube Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC版本 2015/06/15 2015/06/15 -