FQA24N50、STD18N55M5、STW19NM50N对比区别

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型号 FQA24N50 STD18N55M5 STW19NM50N

描述 500V N沟道MOSFET 500V N-Channel MOSFETSTMICROELECTRONICS  STD18N55M5  晶体管, MOSFET, N沟道, 13 A, 550 V, 0.18 ohm, 10 V, 4 VN 通道 MDmesh™，500V，STMicroelectronics### MOSFET 晶体管，STMicroelectronics

数据手册 ---

制造商 Fairchild (飞兆/仙童) ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体)

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Through Hole Surface Mount Through Hole

引脚数 3 3 3

封装 TO-3-3 TO-252-3 TO-247-3

额定电压(DC) 500 V - -

额定电流 24.0 A - -

通道数 1 1 1

漏源极电阻 200 mΩ 0.18 Ω 0.2 Ω

极性 N-Channel N-Channel N-Channel

耗散功率 290 W 90 W 110 W

阈值电压 5 V 4 V 4 V

输入电容 3.50 nF - -

栅电荷 90.0 nC - -

漏源极电压(Vds) 500 V 550 V 500 V

漏源击穿电压 500 V 550 V 500 V

栅源击穿电压 ±30.0 V - -

连续漏极电流(Ids) 24.0 A 16A 14A

上升时间 250 ns 9.5 ns 16 ns

输入电容(Ciss) 4500pF @25V(Vds) 1260pF @100V(Vds) 1000pF @50V(Vds)

额定功率(Max) 290 W 90 W 110 W

下降时间 155 ns 13 ns 17 ns

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -

工作结温(Max) 150 ℃ - -

耗散功率(Max) 290W (Tc) 110W (Tc) 110W (Tc)

针脚数 - 3 -

宽度 5 mm 6.2 mm 5.15 mm

封装 TO-3-3 TO-252-3 TO-247-3

长度 - 6.6 mm 15.75 mm

高度 - 2.4 mm 20.15 mm

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) 150℃ (TJ) 150℃ (TJ)

材质 - Silicon -

产品生命周期 Not Recommended for New Designs Active Active

包装方式 Tube Tape & Reel (TR) Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC No SVHC

REACH SVHC版本 2014/12/17 2015/12/17 2015/12/17

ECCN代码 EAR99 - -