FQA24N50
数据手册.pdf
Fairchild
飞兆/仙童
分立器件
FQA24N50中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC 500 V
额定电流 24.0 A
通道数 1
漏源极电阻 200 mΩ
极性 N-Channel
耗散功率 290 W
阈值电压 5 V
输入电容 3.50 nF
栅电荷 90.0 nC
漏源极电压Vds 500 V
漏源击穿电压 500 V
栅源击穿电压 ±30.0 V
连续漏极电流Ids 24.0 A
上升时间 250 ns
输入电容Ciss 4500pF @25VVds
额定功率Max 290 W
下降时间 155 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
工作结温Max 150 ℃
耗散功率Max 290W Tc
封装参数
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-3-3
外形尺寸
宽度 5 mm
封装 TO-3-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Not Recommended for New Designs
包装方式 Tube
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2014/12/17
海关信息
ECCN代码 EAR99
FQA24N50引脚图与封装图
暂无图片
替代型号FQA24N50
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： FQA24N50 品牌： Fairchild 飞兆/仙童 封装： TO-3P-3 N-Channel 500V 24A 200mohms 3.5nF | 当前型号 | 500V N沟道MOSFET 500V N-Channel MOSFET | 当前型号 |
| 型号： STP55NF06 品牌： 意法半导体 封装： TO-220 N-Channel 60V 50A 18mΩ | 功能相似 | MOSFET 晶体管，STMicroelectronics | FQA24N50和STP55NF06的区别 |
| 型号： STW20NK50Z 品牌： 意法半导体 封装： TO-247 N-Channel 500V 17A 270mΩ | 功能相似 | N 通道 MDmesh™ SuperMESH™，250V 至 650V，STMicroelectronics### MOSFET 晶体管，STMicroelectronics | FQA24N50和STW20NK50Z的区别 |
| 型号： STD18N55M5 品牌： 意法半导体 封装： DPAK N-Channel 550V 16A | 功能相似 | STMICROELECTRONICS STD18N55M5 晶体管, MOSFET, N沟道, 13 A, 550 V, 0.18 ohm, 10 V, 4 V | FQA24N50和STD18N55M5的区别 |