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STW19NM50N

STW19NM50N

数据手册.pdf

N 通道 MDmesh™，500V，STMicroelectronics### MOSFET 晶体管，STMicroelectronics

N 通道 MDmesh™，500V，STMicroelectronics


得捷:
MOSFET N-CH 500V 14A TO247-3


欧时:
STMicroelectronics MDmesh 系列 Si N沟道 MOSFET STW19NM50N, 14 A, Vds=500 V, 3引脚 TO-247封装


立创商城:
N沟道 500V 14A


贸泽:
MOSFET POWER MOSFET N-CH 500V 13A


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Trans MOSFET N-CH 500V 14A 3-Pin3+Tab TO-247 Tube


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Trans MOSFET N-CH 500V 14A 3-Pin3+Tab TO-247 Tube


富昌:
STW19NM50N 系列 N 沟道 550 V 0.25 Ohm MDmesh II 功率 Mosfet - TO-247


Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH 500V 14A 3-Pin3+Tab TO-247 Tube


TME:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 550V; 10A; 110W; TO247


Verical:
Trans MOSFET N-CH 500V 14A 3-Pin3+Tab TO-247 Tube


力源芯城:
500V,0.2Ω,14A,N沟道功率MOSFET


Win Source:
MOSFET N-CH 500V 14A TO-247


DeviceMart:
MOSFET N-CH 500V 14A TO-247


STW19NM50N中文资料参数规格
技术参数

通道数 1

漏源极电阻 0.2 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 110 W

阈值电压 4 V

漏源极电压Vds 500 V

漏源击穿电压 500 V

连续漏极电流Ids 14A

上升时间 16 ns

输入电容Ciss 1000pF @50VVds

额定功率Max 110 W

下降时间 17 ns

工作温度Max 150 ℃

耗散功率Max 110W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-247-3

外形尺寸

长度 15.75 mm

宽度 5.15 mm

高度 20.15 mm

封装 TO-247-3

物理参数

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17

STW19NM50N引脚图与封装图
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型号 制造商 描述 购买
STW19NM50N ST Microelectronics 意法半导体 N 通道 MDmesh™，500V，STMicroelectronics ### MOSFET 晶体管，STMicroelectronics 搜索库存
替代型号STW19NM50N
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号： STW19NM50N

品牌： ST Microelectronics 意法半导体

封装： TO-247 N-Channel 500V 14A

当前型号

N 通道 MDmesh™，500V，STMicroelectronics### MOSFET 晶体管，STMicroelectronics

当前型号

型号： STW20N95K5

品牌： 意法半导体

封装： TO-247 N-Channel 950V 17.5A

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N 通道 MDmesh™ SuperMESH™，700V 至 1200V，STMicroelectronics### MOSFET 晶体管，STMicroelectronics

STW19NM50N和STW20N95K5的区别

型号： STW6N120K3

品牌： 意法半导体

封装： TO-247 N-Channel 1200V 6A

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型号： STW13N95K3

品牌： 意法半导体

封装： TO-247 N-Channel 950V 10A

类似代替

STMICROELECTRONICS  STW13N95K3  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 10 A, 950 V, 0.68 ohm, 10 V, 4 V

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