JAN2N6352、JANTXV2N6352、JANTX2N6352对比区别

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型号 JAN2N6352 JANTXV2N6352 JANTX2N6352

描述 NPN达林顿功率硅晶体管 NPN DARLINGTON POWER SILICON TRANSISTORNPN达林顿功率硅晶体管 NPN DARLINGTON POWER SILICON TRANSISTORNPN达林顿功率硅晶体管 NPN DARLINGTON POWER SILICON TRANSISTOR

数据手册 ---

制造商 Microsemi (美高森美) Microsemi (美高森美) Microsemi (美高森美)

分类 双极性晶体管双极性晶体管

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 - 4 4

封装 TO-213 TO-213 TO-213

极性 NPN NPN NPN

耗散功率 - 2 W 2 W

击穿电压(集电极-发射极) 80 V 80 V 80 V

集电极最大允许电流 5A 5A 5A

最小电流放大倍数(hFE) - 2000 @5A, 5V 2000 @5A, 5V

额定功率(Max) - 2 W 2 W

工作温度(Max) - 125 ℃ 200 ℃

工作温度(Min) - -55 ℃ -65 ℃

耗散功率(Max) - 2000 mW 2000 mW

封装 TO-213 TO-213 TO-213

工作温度 - -65℃ ~ 200℃ (TJ) -65℃ ~ 200℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Bulk Tray Tray

RoHS标准 Non-Compliant Non-Compliant Non-Compliant

含铅标准 Contains Lead Contains Lead Contains Lead

ECCN代码 - EAR99 EAR99