JAN2N6352
数据手册.pdf
Microsemi
美高森美
电子元器件分类
JAN2N6352中文资料参数规格
技术参数
极性 NPN
击穿电压集电极-发射极 80 V
集电极最大允许电流 5A
封装参数
安装方式 Through Hole
封装 TO-213
外形尺寸
封装 TO-213
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Bulk
符合标准
RoHS标准 Non-Compliant
含铅标准 Contains Lead
JAN2N6352引脚图与封装图
暂无图片
在线购买JAN2N6352
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| JAN2N6352 | Microsemi 美高森美 | NPN达林顿功率硅晶体管 NPN DARLINGTON POWER SILICON TRANSISTOR | 搜索库存 |
替代型号JAN2N6352
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： JAN2N6352 品牌： Microsemi 美高森美 封装： | 当前型号 | NPN达林顿功率硅晶体管 NPN DARLINGTON POWER SILICON TRANSISTOR | 当前型号 |
| 型号： JANTX2N6352 品牌： 美高森美 封装： TO-213AA NPN 1000mW | 完全替代 | NPN达林顿功率硅晶体管 NPN DARLINGTON POWER SILICON TRANSISTOR | JAN2N6352和JANTX2N6352的区别 |
| 型号： JANTXV2N6352 品牌： 美高森美 封装： TO-213AA NPN 2000mW | 完全替代 | NPN达林顿功率硅晶体管 NPN DARLINGTON POWER SILICON TRANSISTOR | JAN2N6352和JANTXV2N6352的区别 |
| 型号： 2N6352 品牌： 美高森美 封装： | 完全替代 | NPN达林顿功率硅晶体管 NPN DARLINGTON POWER SILICON TRANSISTOR | JAN2N6352和2N6352的区别 |
