JANTXV2N6352
数据手册.pdfMicrosemi(美高森美)
分立器件
JANTXV2N6352中文资料参数规格
技术参数
极性 NPN
耗散功率 2 W
击穿电压集电极-发射极 80 V
集电极最大允许电流 5A
最小电流放大倍数hFE 2000 @5A, 5V
额定功率Max 2 W
工作温度Max 125 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 2000 mW
封装参数
安装方式 Through Hole
引脚数 4
封装 TO-213
外形尺寸
封装 TO-213
物理参数
工作温度 -65℃ ~ 200℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tray
符合标准
RoHS标准 Non-Compliant
含铅标准 Contains Lead
海关信息
ECCN代码 EAR99
JANTXV2N6352引脚图与封装图
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在线购买JANTXV2N6352
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| JANTXV2N6352 | Microsemi 美高森美 | NPN达林顿功率硅晶体管 NPN DARLINGTON POWER SILICON TRANSISTOR | 搜索库存 |
替代型号JANTXV2N6352
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： JANTXV2N6352 品牌： Microsemi 美高森美 封装： TO-213AA NPN 2000mW | 当前型号 | NPN达林顿功率硅晶体管 NPN DARLINGTON POWER SILICON TRANSISTOR | 当前型号 |
| 型号： JAN2N6352 品牌： 美高森美 封装： | 完全替代 | NPN达林顿功率硅晶体管 NPN DARLINGTON POWER SILICON TRANSISTOR | JANTXV2N6352和JAN2N6352的区别 |
| 型号： 2N6352 品牌： 美高森美 封装： | 完全替代 | NPN达林顿功率硅晶体管 NPN DARLINGTON POWER SILICON TRANSISTOR | JANTXV2N6352和2N6352的区别 |
| 型号： JANTX2N6352 品牌： 美高森美 封装： TO-213AA NPN 1000mW | 类似代替 | NPN达林顿功率硅晶体管 NPN DARLINGTON POWER SILICON TRANSISTOR | JANTXV2N6352和JANTX2N6352的区别 |