TLC271CDG4、TLC272IDR、TLC271CD对比区别

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型号 TLC271CDG4 TLC272IDR TLC271CD

描述 路LinCMOS可编程低功耗TIONAL放大器 LinCMOS PROGRAMMABLE LOW-POWER TIONAL AMPLIFIERSTEXAS INSTRUMENTS  TLC272IDR  运算放大器, 双路, 1.7 MHz, 2个放大器, 3.6 V/µs, 4V 至 16V, SOIC, 8 引脚TEXAS INSTRUMENTS  TLC271CD  运算放大器, 单路, 1.3 MHz, 1个放大器, 3.6 V/µs, 3V 至 16V, SOIC, 8 引脚

数据手册 ---

制造商 TI (德州仪器) TI (德州仪器) TI (德州仪器)

分类 放大器、缓冲器运算放大器运算放大器

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 8 8 8

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

供电电流 950 µA 1.4 mA 950 µA

电路数 1 2 1

通道数 1 2 1

耗散功率 0.725 W 0.725 W 0.725 W

共模抑制比 65 dB 65 dB 65 dB

输入补偿漂移 1.80 µV/K 1.80 µV/K 1.80 µV/K

带宽 1.70 MHz 1.7 MHz 1.3 MHz

转换速率 3.60 V/μs 3.60 V/μs 3.60 V/μs

增益频宽积 2.2 MHz 1.7 MHz 1.7 MHz

输入补偿电压 1.1 mV 1.1 mV 1.1 mV

输入偏置电流 0.7 pA 0.7 pA 0.7 pA

输出电流 - ≤30 mA ≤30 mA

针脚数 - 8 8

工作温度(Max) - 85 ℃ 70 ℃

工作温度(Min) - -40 ℃ 0 ℃

增益带宽 - 2.2 MHz 2.2 MHz

耗散功率(Max) - 725 mW 725 mW

共模抑制比(Min) - 65 dB 65 dB

电源电压 - 4V ~ 16V 3V ~ 16V

电源电压(DC) - - 10.0 V

工作电压 - - 3V ~ 16V

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

长度 - 4.9 mm 4.9 mm

宽度 - 3.91 mm 3.91 mm

高度 - 1.5 mm 1.58 mm

工作温度 0℃ ~ 70℃ -40℃ ~ 85℃ 0℃ ~ 70℃

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Rail, Tube Tape & Reel (TR) Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - No SVHC No SVHC

REACH SVHC版本 - - 2015/06/15