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TLC272IDR

TLC272IDR

TI(德州仪器) 主动器件

TEXAS INSTRUMENTS  TLC272IDR  运算放大器, 双路, 1.7 MHz, 2个放大器, 3.6 V/µs, 4V 至 16V, SOIC, 8 引脚

精密 LinCMOS


得捷:
IC CMOS 2 CIRCUIT 8SOIC


立创商城:
Op Amps-Comparators


德州仪器TI:
Dual, 16-V, 2-MHz, In to V- operational amplifier


欧时:
Texas Instruments 运算放大器 TLC272IDR 双, 1.7MHz增益带宽积, 5 → 15 V单电源电压, 8引脚


e络盟:
运算放大器, 2个放大器, 1.7 MHz, 3.6 V/µs, 4V 至 16V, SOIC, 8 引脚


艾睿:
Op Amp Dual Low Offset Voltage Amplifier 16V 8-Pin SOIC T/R


安富利:
OP Amp Dual GP 16V 8-Pin SOIC T/R


Chip1Stop:
Standard Linear AmplifierDual Single Supply Operational Amplifier OP Amp Dual GP 16V 8-Pin SOIC T/R


TME:
Operational amplifier; 2.2MHz; 4÷16V; Channels:2; SO8


Verical:
Op Amp Dual Low Offset Voltage Amplifier 16V 8-Pin SOIC T/R


Newark:
Operational Amplifier, Dual, 2 Amplifier, 1.7 MHz, 3.6 V/µs, 4V to 16V, SOIC, 8 Pins


DeviceMart:
IC OPAMP GP 2.2MHZ DUAL 8SOIC


Win Source:
IC OPAMP GP 2.2MHZ 8SOIC


TLC272IDR中文资料参数规格
技术参数

输出电流 ≤30 mA

供电电流 1.4 mA

电路数 2

通道数 2

针脚数 8

耗散功率 0.725 W

共模抑制比 65 dB

输入补偿漂移 1.80 µV/K

带宽 1.7 MHz

转换速率 3.60 V/μs

增益频宽积 1.7 MHz

输入补偿电压 1.1 mV

输入偏置电流 0.7 pA

工作温度Max 85 ℃

工作温度Min -40 ℃

增益带宽 2.2 MHz

耗散功率Max 725 mW

共模抑制比Min 65 dB

电源电压 4V ~ 16V

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 SOIC-8

外形尺寸

长度 4.9 mm

宽度 3.91 mm

高度 1.5 mm

封装 SOIC-8

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 85℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

TLC272IDR引脚图与封装图
TLC272IDR引脚图

TLC272IDR引脚图

TLC272IDR封装图

TLC272IDR封装图

TLC272IDR封装焊盘图

TLC272IDR封装焊盘图

在线购买TLC272IDR
型号 制造商 描述 购买
TLC272IDR TI 德州仪器 TEXAS INSTRUMENTS  TLC272IDR  运算放大器, 双路, 1.7 MHz, 2个放大器, 3.6 V/µs, 4V 至 16V, SOIC, 8 引脚 搜索库存
替代型号TLC272IDR
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: TLC272IDR

品牌: TI 德州仪器

封装: SOIC 320kHz 2Channel 8Pin

当前型号

TEXAS INSTRUMENTS  TLC272IDR  运算放大器, 双路, 1.7 MHz, 2个放大器, 3.6 V/µs, 4V 至 16V, SOIC, 8 引脚

当前型号

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