BF1101WR、BF1202WR,115、BF2030W对比区别

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型号 BF1101WR BF1202WR,115 BF2030W

描述 BF1101WR n沟道双栅MOS-FETs 7V 30MA SOT343 代码 NC 低噪声增益控制放大器1 GHzTrans RF MOSFET N-CH 10V 0.03A 4Pin(3+Tab) CMPAK T/RBF2030W N沟道MOSFET 8V 10mA SOT-343/SC70-4 marking/标记 ND 射频切换

数据手册 ---

制造商 NXP (恩智浦) NXP (恩智浦) Infineon (英飞凌)

分类 晶体管

安装方式 Surface Mount Surface Mount -

引脚数 4 4 -

封装 SOT-343 SOT-343 SOT-343

频率 - 400 MHz -

额定电流 - 30 mA -

极性 - N-Channel -

耗散功率 - 0.2 W -

漏源极电压(Vds) - 10 V -

连续漏极电流(Ids) - 30.0 mA -

增益 - 30.5 dB -

测试电流 - 12 mA -

耗散功率(Max) 200 mW 200 mW -

额定电压 - 10 V -

工作温度(Max) 150 ℃ - -

工作温度(Min) -65 ℃ - -

封装 SOT-343 SOT-343 SOT-343

产品生命周期 Unknown Obsolete Obsolete

包装方式 - Tape & Reel (TR) -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 - Lead Free Lead Free