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BF2030W
Infineon 英飞凌 电子元器件分类

BF2030W N沟道MOSFET 8V 10mA SOT-343/SC70-4 marking/标记 ND 射频切换

最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage| 8V \---|--- 最大栅源极电压Vgs± Gate-Source Voltage| 6V 最大漏极电流Id Drain Current| 10mA 源漏极导通电阻ΩRds DΩ/Ohmain-SouΩ/Ohmce On-State Ω/Ohmesistance| 开启电压Vgs(th) Gate-Source Threshold Voltage| 0.3V 耗散功率Pd Power Dissipation| 200mW/0.2W Description & Applications| Silicon N-Channel MOSFET Tetrode • For low noise, high gain controlled input stages up to 1GHz • Operating voltage 5V 描述与应用| 硅N沟道MOSFET四极管 •低噪声,高增益控制 高达1GHz的输入阶段 •工作电压5V


BF2030W中文资料参数规格
封装参数

封装 SOT-343

外形尺寸

封装 SOT-343

其他

产品生命周期 Obsolete

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

BF2030W引脚图与封装图
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BF2030W Infineon 英飞凌 BF2030W N沟道MOSFET 8V 10mA SOT-343/SC70-4 marking/标记 ND 射频切换 搜索库存
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型号: BF2030W

品牌: Infineon 英飞凌

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当前型号

BF2030W N沟道MOSFET 8V 10mA SOT-343/SC70-4 marking/标记 ND 射频切换

当前型号

型号: BF1202WR

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封装:

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型号: BF1201WR

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封装: SOT-343/SC70-4

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