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MT47H256M4CF-25E:H TR、MT47H256M4SH-25E:M对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 MT47H256M4CF-25E:H TR MT47H256M4SH-25E:M

描述 DRAM Chip DDR2 SDRAM 1Gbit 256Mx4 1.8V 60Pin FBGA T/RDDR DRAM, 256MX4, 0.4ns, CMOS, PBGA60, 8 X 10MM, ROHS COMPLIANT, FBGA-60

数据手册 --

制造商 Micron (镁光) Micron (镁光)

分类 RAM芯片RAM芯片

基础参数对比

引脚数 60 60

封装 FBGA-60 FBGA-60

安装方式 - Surface Mount

供电电流 125 mA -

位数 4 4

存取时间(Max) 0.4 ns 0.4 ns

工作温度(Max) 85 ℃ 85 ℃

工作温度(Min) 0 ℃ 0 ℃

电源电压 1.7V ~ 1.9V 1.7V ~ 1.9V

存取时间 - 400 ps

封装 FBGA-60 FBGA-60

工作温度 0℃ ~ 85℃ 0℃ ~ 85℃

产品生命周期 Unknown Unknown

包装方式 Tape & Reel (TR) Tray

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 PB free 无铅

ECCN代码 EAR99 -