MT47H256M4SH-25E:M

Micron(镁光) 主动器件

DDR DRAM, 256MX4, 0.4ns, CMOS, PBGA60, 8 X 10MM, ROHS COMPLIANT, FBGA-60

SDRAM - DDR2 存储器 IC 1Gb（256M x 4）并联 400 MHz 400 ps 60-FBGA（8x10）

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IC DRAM 1GBIT PARALLEL 60FBGA

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MT47H256M4SH 25E:M

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DRAM Chip DDR2 SDRAM 1G-Bit 256Mx4 1.8V 60-Pin FBGA

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DRAM Chip DDR2 SDRAM 1G-Bit 256Mx4 1.8V 60-Pin FBGA

MT47H256M4SH-25E:M中文资料参数规格

技术参数

位数 4

存取时间 400 ps

存取时间Max 0.4 ns

工作温度Max 85 ℃

工作温度Min 0 ℃

电源电压 1.7V ~ 1.9V

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 60

封装 FBGA-60

外形尺寸

封装 FBGA-60

物理参数

工作温度 0℃ ~ 85℃

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tray

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准无铅

MT47H256M4SH-25E:M引脚图与封装图

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在线购买MT47H256M4SH-25E:M

型号	制造商	描述	购买
MT47H256M4SH-25E:M	Micron 镁光	DDR DRAM, 256MX4, 0.4ns, CMOS, PBGA60, 8 X 10MM, ROHS COMPLIANT, FBGA-60	搜索库存

替代型号MT47H256M4SH-25E:M

型号/品牌/封装	代替类型	描述	替代型号对比
型号： MT47H256M4SH-25E:M 品牌： Micron 镁光封装： TFBGA	当前型号	DDR DRAM, 256MX4, 0.4ns, CMOS, PBGA60, 8 X 10MM, ROHS COMPLIANT, FBGA-60	当前型号
型号： MT47H256M4CF-25E:H TR 品牌：镁光封装： BGA	完全替代	DRAM Chip DDR2 SDRAM 1Gbit 256Mx4 1.8V 60Pin FBGA T/R	MT47H256M4SH-25E:M和MT47H256M4CF-25E:H TR的区别
型号： MT47H256M4CF-25E:H 品牌：镁光封装： FBGA	完全替代	DRAM Chip DDR2 SDRAM 1Gbit 256Mx4 1.8V 60Pin FBGA	MT47H256M4SH-25E:M和MT47H256M4CF-25E:H的区别
型号： MT47H256M4CF-3:H 品牌：镁光封装： FBGA	类似代替	DRAM Chip DDR2 SDRAM 1Gbit 256Mx4 1.8V 60Pin FBGA	MT47H256M4SH-25E:M和MT47H256M4CF-3:H的区别