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MT47H256M4CF-25E:H TR

MT47H256M4CF-25E:H TR

数据手册.pdf
Micron(镁光) 主动器件

DRAM Chip DDR2 SDRAM 1Gbit 256Mx4 1.8V 60Pin FBGA T/R

SDRAM - DDR2 Memory IC 1Gb 256M x 4 Parallel 400MHz 400ps 60-FBGA 8x10


得捷:
IC DRAM 1GBIT PARALLEL 60FBGA


艾睿:
DRAM Chip DDR2 SDRAM 1G-Bit 256Mx4 1.8V 60-Pin FBGA T/R


Chip1Stop:
DRAM Chip DDR2 SDRAM 1G-Bit 256Mx4 1.8V 60-Pin FBGA T/R


Verical:
DRAM Chip DDR2 SDRAM 1Gbit 256Mx4 1.8V 60-Pin FBGA T/R


MT47H256M4CF-25E:H TR中文资料参数规格
技术参数

供电电流 125 mA

位数 4

存取时间Max 0.4 ns

工作温度Max 85 ℃

工作温度Min 0 ℃

电源电压 1.7V ~ 1.9V

封装参数

引脚数 60

封装 FBGA-60

外形尺寸

封装 FBGA-60

物理参数

工作温度 0℃ ~ 85℃

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 PB free

海关信息

ECCN代码 EAR99

MT47H256M4CF-25E:H TR引脚图与封装图
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在线购买MT47H256M4CF-25E:H TR
型号 制造商 描述 购买
MT47H256M4CF-25E:H TR Micron 镁光 DRAM Chip DDR2 SDRAM 1Gbit 256Mx4 1.8V 60Pin FBGA T/R 搜索库存
替代型号MT47H256M4CF-25E:H TR
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: MT47H256M4CF-25E:H TR

品牌: Micron 镁光

封装: BGA

当前型号

DRAM Chip DDR2 SDRAM 1Gbit 256Mx4 1.8V 60Pin FBGA T/R

当前型号

型号: MT47H256M4SH-25E:M

品牌: 镁光

封装: TFBGA

完全替代

DDR DRAM, 256MX4, 0.4ns, CMOS, PBGA60, 8 X 10MM, ROHS COMPLIANT, FBGA-60

MT47H256M4CF-25E:H TR和MT47H256M4SH-25E:M的区别