PH8230E、PH8230E,115对比区别

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型号 PH8230E PH8230E,115

描述 NXP  PH8230E.  晶体管, MOSFET, N沟道, 67 A, 30 V, 0.0076 ohm, 4.5 V, 1.7 VN 通道 MOSFET，10A 至 99A，NXP Semiconductors### MOSFET 晶体管，NXP Semiconductors

数据手册 --

制造商 NXP (恩智浦) NXP (恩智浦)

分类 MOS管MOS管

安装方式 Surface Mount Surface Mount

引脚数 4 5

封装 SOT-669 SOT-669

耗散功率 62.5 W 62.5 W

输入电容 - -

漏源极电压(Vds) 30 V 30 V

上升时间 - -

输入电容(Ciss) - 1400pF @10V(Vds)

额定功率(Max) - 62.5 W

下降时间 - -

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) - -55 ℃

耗散功率(Max) - 62.5 W

极性 N-Channel N-Channel

连续漏极电流(Ids) 67.0 A 67.0 A

针脚数 4 -

漏源极电阻 0.0076 Ω -

阈值电压 1.7 V -

长度 - 5 mm

宽度 - 4.1 mm

高度 - 1.1 mm

封装 SOT-669 SOT-669

工作温度 - -

产品生命周期 Unknown Not Recommended for New Designs

包装方式 Cut Tape (CT) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 - Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC -

REACH SVHC版本 2015/12/17 -