PH8230E
数据手册.pdf
NXP
恩智浦
分立器件
PH8230E中文资料参数规格
技术参数
针脚数 4
漏源极电阻 0.0076 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 62.5 W
阈值电压 1.7 V
漏源极电压Vds 30 V
连续漏极电流Ids 67.0 A
工作温度Max 150 ℃
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 4
封装 SOT-669
外形尺寸
封装 SOT-669
其他
产品生命周期 Unknown
包装方式 Cut Tape CT
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17
PH8230E引脚图与封装图
暂无图片
在线购买PH8230E
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| PH8230E | NXP 恩智浦 | NXP PH8230E. 晶体管, MOSFET, N沟道, 67 A, 30 V, 0.0076 ohm, 4.5 V, 1.7 V | 搜索库存 |
替代型号PH8230E
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： PH8230E 品牌： NXP 恩智浦 封装： SOT-669 N-Channel 30V 67A | 当前型号 | NXP PH8230E. 晶体管, MOSFET, N沟道, 67 A, 30 V, 0.0076 ohm, 4.5 V, 1.7 V | 当前型号 |
| 型号： PH8230E,115 品牌： 恩智浦 封装： LFPAK N-Channel 30V 67A | 完全替代 | N 通道 MOSFET，10A 至 99A，NXP Semiconductors### MOSFET 晶体管，NXP Semiconductors | PH8230E和PH8230E,115的区别 |