PH8230E,115
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NXP
恩智浦
分立器件
PH8230E,115中文资料参数规格
技术参数
极性 N-Channel
耗散功率 62.5 W
漏源极电压Vds 30 V
连续漏极电流Ids 67.0 A
输入电容Ciss 1400pF @10VVds
额定功率Max 62.5 W
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 62.5 W
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 5
封装 SOT-669
外形尺寸
长度 5 mm
宽度 4.1 mm
高度 1.1 mm
封装 SOT-669
其他
产品生命周期 Not Recommended for New Designs
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
PH8230E,115引脚图与封装图
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在线购买PH8230E,115
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| PH8230E,115 | NXP 恩智浦 | N 通道 MOSFET，10A 至 99A，NXP Semiconductors ### MOSFET 晶体管，NXP Semiconductors | 搜索库存 |
替代型号PH8230E,115
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： PH8230E,115 品牌： NXP 恩智浦 封装： LFPAK N-Channel 30V 67A | 当前型号 | N 通道 MOSFET，10A 至 99A，NXP Semiconductors### MOSFET 晶体管，NXP Semiconductors | 当前型号 |
| 型号： PH8230E 品牌： 恩智浦 封装： SOT-669 N-Channel 30V 67A | 完全替代 | NXP PH8230E. 晶体管, MOSFET, N沟道, 67 A, 30 V, 0.0076 ohm, 4.5 V, 1.7 V | PH8230E,115和PH8230E的区别 |