PH1955L、PH1955L,115、PH20100S对比区别

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型号 PH1955L PH1955L,115 PH20100S

描述 逻辑电平N沟道增强型场效应晶体管（ FET）使用的TrenchMOS技术的塑料包装。 Logic level N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a plastic package using TrenchMOS technology.LFPAK N-CH 55V 40AN沟道的TrenchMOS标准水平FET N-channel TrenchMOS standard level FET

数据手册 ---

制造商 NXP (恩智浦) NXP (恩智浦) NXP (恩智浦)

分类 MOS管MOS管

安装方式 - Surface Mount Surface Mount

引脚数 - 5 -

封装 LFPAK SOT-669 -

极性 N-CH N-Channel -

耗散功率 - 75 W -

漏源极电压(Vds) 55 V 55 V -

连续漏极电流(Ids) 40A 40.0 A -

上升时间 - 180 ns -

输入电容(Ciss) - 1992pF @25V(Vds) -

额定功率(Max) - 75 W -

下降时间 - 134 ns -

工作温度(Max) - 175 ℃ -

工作温度(Min) - -55 ℃ -

耗散功率(Max) - 75W (Tc) -

封装 LFPAK SOT-669 -

工作温度 - -55℃ ~ 175℃ (TJ) -

产品生命周期 Unknown Obsolete Unknown

包装方式 - Tape & Reel (TR) -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 - Lead Free -