PH1955L
NXP
恩智浦
电子元器件分类
PH1955L中文资料参数规格
技术参数
极性 N-CH
漏源极电压Vds 55 V
连续漏极电流Ids 40A
封装参数
封装 LFPAK
外形尺寸
封装 LFPAK
其他
产品生命周期 Unknown
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
PH1955L引脚图与封装图
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| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| PH1955L | NXP 恩智浦 | 逻辑电平N沟道增强型场效应晶体管（ FET）使用的TrenchMOS技术的塑料包装。 Logic level N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor FET in a plastic package using TrenchMOS technology. | 搜索库存 |
替代型号PH1955L
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
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| 型号： PH1955L 品牌： NXP 恩智浦 封装： | 当前型号 | 逻辑电平N沟道增强型场效应晶体管（ FET）使用的TrenchMOS技术的塑料包装。 Logic level N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor FET in a plastic package using TrenchMOS technology. | 当前型号 |
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