CY7C1418AV18-200BZXC、CY7C1418BV18-250BZXC、CY7C1418BV18-250BZC对比区别

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型号 CY7C1418AV18-200BZXC CY7C1418BV18-250BZXC CY7C1418BV18-250BZC

描述 36兆位的DDR - II SRAM的2字突发架构 36-Mbit DDR-II SRAM 2-Word Burst Architecture36兆位的DDR - II SRAM的2字突发架构 36-Mbit DDR-II SRAM 2-Word Burst Architecture36兆位的DDR - II SRAM的2字突发架构 36-Mbit DDR-II SRAM 2-Word Burst Architecture

数据手册 ---

制造商 Cypress Semiconductor (赛普拉斯) Cypress Semiconductor (赛普拉斯) Cypress Semiconductor (赛普拉斯)

分类 RAM芯片RAM芯片存储芯片

安装方式 Surface Mount Surface Mount -

封装 FBGA FBGA-165 LBGA-165

引脚数 - 165 165

电源电压(DC) 1.80 V, 1.90 V (max) - -

时钟频率 200MHz (max) 250 MHz -

存取时间 0.45 ns 0.45 ns -

内存容量 36000000 B - -

工作温度(Max) 70 ℃ 70 ℃ 70 ℃

工作温度(Min) 0 ℃ 0 ℃ 0 ℃

供电电流 - 760 mA -

位数 - 18 -

存取时间(Max) - 0.45 ns -

电源电压 - 1.7V ~ 1.9V 1.7V ~ 1.9V

电源电压(Max) - 1.9 V -

电源电压(Min) - 1.7 V -

封装 FBGA FBGA-165 LBGA-165

高度 - 0.89 mm 0.89 mm

工作温度 0℃ ~ 70℃ 0℃ ~ 70℃ 0℃ ~ 70℃ (TA)

产品生命周期 Unknown Unknown Unknown

包装方式 Tray, Bulk Tray Tray

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free 无铅