供电电流 760 mA
时钟频率 250 MHz
位数 18
存取时间 0.45 ns
存取时间Max 0.45 ns
工作温度Max 70 ℃
工作温度Min 0 ℃
电源电压 1.7V ~ 1.9V
电源电压Max 1.9 V
电源电压Min 1.7 V
安装方式 Surface Mount
引脚数 165
封装 FBGA-165
高度 0.89 mm
封装 FBGA-165
工作温度 0℃ ~ 70℃
产品生命周期 Unknown
包装方式 Tray
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 无铅
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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CY7C1418BV18-250BZXC | Cypress Semiconductor 赛普拉斯 | 36兆位的DDR - II SRAM的2字突发架构 36-Mbit DDR-II SRAM 2-Word Burst Architecture | 搜索库存 |
图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
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型号: CY7C1418BV18-250BZXC 品牌: Cypress Semiconductor 赛普拉斯 封装: FBGA | 当前型号 | 36兆位的DDR - II SRAM的2字突发架构 36-Mbit DDR-II SRAM 2-Word Burst Architecture | 当前型号 | |
型号: CY7C1418KV18-250BZXC 品牌: 赛普拉斯 封装: FBGA-165 | 类似代替 | CY7C1418JV18 36 Mb 2 M x 18 250 MHz 1.8 V DDR-II 2-字突发 SRAM -FBGA-165 | CY7C1418BV18-250BZXC和CY7C1418KV18-250BZXC的区别 | |
型号: CY7C1418KV18-250BZI 品牌: 赛普拉斯 封装: FBGA-165 | 类似代替 | 36兆位的DDR II SRAM的2字突发架构 36-Mbit DDR II SRAM 2-Word Burst Architecture | CY7C1418BV18-250BZXC和CY7C1418KV18-250BZI的区别 | |
型号: CY7C1418AV18-200BZXC 品牌: 赛普拉斯 封装: FBGA 36000000B 1.8V 200µs | 功能相似 | 36兆位的DDR - II SRAM的2字突发架构 36-Mbit DDR-II SRAM 2-Word Burst Architecture | CY7C1418BV18-250BZXC和CY7C1418AV18-200BZXC的区别 |