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CY7C1418BV18-250BZC

CY7C1418BV18-250BZC

数据手册.pdf

36兆位的DDR - II SRAM的2字突发架构 36-Mbit DDR-II SRAM 2-Word Burst Architecture

SRAM - Synchronous, DDR II Memory IC 36Mb 2M x 18 Parallel 250MHz 165-FBGA 15x17


立创商城:
CY7C1418BV18-250BZC


得捷:
IC SRAM 36MBIT PARALLEL 165FBGA


艾睿:
SRAM Chip Sync Single 1.8V 36M-Bit 2M x 18 0.45ns 165-Pin FBGA Tray


罗切斯特:
SRAM Chip Sync Single 1.8V 36M-bit 2M x 18 0.45ns 165-Pin FBGA Tray


CY7C1418BV18-250BZC中文资料参数规格
技术参数

工作温度Max 70 ℃

工作温度Min 0 ℃

电源电压 1.7V ~ 1.9V

封装参数

引脚数 165

封装 LBGA-165

外形尺寸

高度 0.89 mm

封装 LBGA-165

物理参数

工作温度 0℃ ~ 70℃ TA

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tray

符合标准

RoHS标准

含铅标准

CY7C1418BV18-250BZC引脚图与封装图
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在线购买CY7C1418BV18-250BZC
型号 制造商 描述 购买
CY7C1418BV18-250BZC Cypress Semiconductor 赛普拉斯 36兆位的DDR - II SRAM的2字突发架构 36-Mbit DDR-II SRAM 2-Word Burst Architecture 搜索库存
替代型号CY7C1418BV18-250BZC
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: CY7C1418BV18-250BZC

品牌: Cypress Semiconductor 赛普拉斯

封装: 165-LBGA

当前型号

36兆位的DDR - II SRAM的2字突发架构 36-Mbit DDR-II SRAM 2-Word Burst Architecture

当前型号

型号: CY7C1418KV18-250BZXC

品牌: 赛普拉斯

封装: FBGA-165

完全替代

CY7C1418JV18 36 Mb 2 M x 18 250 MHz 1.8 V DDR-II 2-字突发 SRAM -FBGA-165

CY7C1418BV18-250BZC和CY7C1418KV18-250BZXC的区别

型号: CY7C1418AV18-200BZXC

品牌: 赛普拉斯

封装: FBGA 36000000B 1.8V 200µs

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