SPI20N60C3、SPI20N60CFDHKSA1、IPI65R190CFDXKSA1对比区别

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型号 SPI20N60C3 SPI20N60CFDHKSA1 IPI65R190CFDXKSA1

描述 酷MOS ™功率晶体管 Cool MOS™ Power TransistorTO-262 N-CH 600V 20.7ATO-262 N-CH 650V 17.5A

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

封装 TO-262-3 TO-262-3-1 TO-262-3

极性 N-CH N-CH N-CH

耗散功率 208 W 208W (Tc) 151W (Tc)

漏源极电压(Vds) 650 V 650 V 650 V

连续漏极电流(Ids) 20.7 A 20.7A 17.5A

输入电容(Ciss) 2400pF @25V(Vds) 2400pF @25V(Vds) 1850pF @100V(Vds)

耗散功率(Max) - 208W (Tc) 151W (Tc)

额定功率 - - 151 W

上升时间 15 ns - 8.4 ns

下降时间 6.4 ns - 6.4 ns

额定电压(DC) 650 V - -

额定电流 20.7 A - -

通道数 1 - -

漏源极电阻 220 mΩ - -

输入电容 2.40 nF - -

栅电荷 114 nC - -

漏源击穿电压 650 V - -

额定功率(Max) 208 W - -

工作温度(Max) 150 ℃ - -

工作温度(Min) 55 ℃ - -

封装 TO-262-3 TO-262-3-1 TO-262-3

长度 10.2 mm - 10.2 mm

宽度 4.5 mm - 4.5 mm

高度 9.45 mm - 9.45 mm

工作温度 -55℃ ~ 150℃ -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Obsolete Obsolete Active

包装方式 Tube Tube, Rail Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free 无铅