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IPI65R190CFDXKSA1

IPI65R190CFDXKSA1

数据手册.pdf
Infineon(英飞凌) 分立器件

TO-262 N-CH 650V 17.5A

Summary of Features:

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650V technology with integrated fast body diode
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Limited voltage overshoot during hard commutation
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Significant Q g reduction compared to 600V CFD technology
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Tighter R DSON max to R DSon typ window
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Easy to design-in
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Lower price compared to 600V CFD technology

Benefits:

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Low switching losses due to low Q rr at repetitive commutation on body diode
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Self limiting di/dt and dv/dt
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Low Q oss
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Reduced turn on and turn of delay times
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Outstanding CoolMOS™ quality

Target Applications:

  

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Telecom
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Server
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Solar
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HID lamp ballast
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LED lighting
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eMobility
IPI65R190CFDXKSA1中文资料参数规格
技术参数

额定功率 151 W

极性 N-CH

耗散功率 151W Tc

漏源极电压Vds 650 V

连续漏极电流Ids 17.5A

上升时间 8.4 ns

输入电容Ciss 1850pF @100VVds

下降时间 6.4 ns

耗散功率Max 151W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

封装 TO-262-3

外形尺寸

长度 10.2 mm

宽度 4.5 mm

高度 9.45 mm

封装 TO-262-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 无铅

IPI65R190CFDXKSA1引脚图与封装图
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替代型号IPI65R190CFDXKSA1
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: IPI65R190CFDXKSA1

品牌: Infineon 英飞凌

封装: TO-262 N-CH 650V 17.5A

当前型号

TO-262 N-CH 650V 17.5A

当前型号

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封装: I2PAK-3 N-CH 650V 17.5A

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